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論文

In-situ electron energy loss spectroscopy of silicon carbide crystals during electron irradiation after hydrogen ion implantation

北條 喜一; 古野 茂実; 大津 仁; 出井 数彦

Electron Microscopy 1990,Vol. 2, p.124 - 125, 1990/00

SiC結晶に10keVの水素イオンを室温と1073Kで照射した。イオン照射中の構造変化と化学変化を電顕付設の動的観察装置と電子エネルギ損失分光器をもちいて調べた。室温では、非晶質相が形成されたが、高温では構造変化は観察されなかった。EELSによるスペクトル観察では、室温・高温とも、プラズモンロスピークの低エネルギ側へのシフトが観察された。水素注入されたSiC結晶を100keVの電子線で照射した結果、多数のバブルが室温と高温の両試料中に観察された。

論文

A New system for in-situ observation of dynamic process of structural and chemical changes during dual ion irradiation in a 400kV electron microscope

古野 茂実; 北條 喜一; 大津 仁; 出井 数彦*; 佐々木 貞吉; 塚本 哲生*; 畑 喬雄*

Electron Microscopy 1990,Vol. 4, p.538 - 539, 1990/00

核融合炉材料の照射損傷をシミュレートする目的で、二重イオンビーム照射中の材料の損傷を連続的に観察、解析する装置を開発した。本装置は最大40keVのHからArまでのガスイオンを照射できる二組のイオン装置を400kVの電顕に付設したものである。照射中の構造変化はTVカメラによってVTRに連続的に記録され、同時分析はX線エネルギー分光器および電子エネルギー損失分光器によって行われる。この会議では、装置の仕様およびAlおよびSiCへの照射応用例を報告する。

論文

Structure change of crystalline graphite due to hydrogen ion irradiation observed by in-situ electron energy loss spectroscopy

櫛田 浩平; 北條 喜一

Proc. of the 12th Int. Congress for Electron Microscopy, p.126 - 127, 1990/00

電子エネルギー損失分光法は物質の種類あるいはその電子状態、結晶構造などの情報が得られる比較的新しい手法であるが、イオン照射による結晶構造の変化をこの方法(EELS)で観察した例は非常に少ない。本実験は、核融合炉第一壁材料であるグラファイトの構造変化を、水素イオン(10keV H$$_{2+}$$)照射下において観察したものである。その結果、結晶構造変化とイオン照射量との関係は非常に特異なものであることが分かった。すなわち、照射量が7$$times$$10$$^{15}$$H/cm$$^{2}$$位まではほとんど結晶構造が変化せず、その後照射量の対数に比例して非晶質化が起こり、3.5$$times$$10$$^{16}$$H/cm$$^{2}$$で非晶質化が完了する。この非晶質化を起こすイオン照射量は、シリコンカーバイド(SiC)などの場合に比べ1桁程度低く、また照射量と非晶質化の関係も異なることが判明した。

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